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MOS FET: TND027MP-AZ, ATP104-TL-H番号選んで１組 |
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| 商品圖片 | ||
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商品説明 |
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メーカ: ON Semiconductor
仕様不明
２． ATP104-TL-H・・・・・・・・・・・・・・５０個で１組
メーカ: ON Semiconductor
トランジスタ極性: P-Channel
ドレイン - ソース間破壊電圧: - 30 V
ゲート - ソース間破壊電圧: +/- 20 V
連続ドレイン電流: - 75 A
Rdsオン: 8.4 mOhms、 構成: Single
最低・最高動作温度: - 55 C～+ 150 C
取り付け様式: SMD/SMT 、 下降時間: 260 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 70 S
ゲートチャージ Qg: 76 nC
電力損失: 60 W、 上昇時間: 520 ns
追加可能です。
他の製品もありますので、よかったらどうぞ。
その他のオークションも是非ご覧下さい。
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